1.半导体分立器件

半导体分立器件是电力电子技术中用来进行高效电能形态变换、功率控制与处理,以及实现能量调节的核心器件,主要用于电力电子设备的整流、稳压、开关、混频等,具有应用范围广,用量大等特点,在消费类电子、汽车电子、电子仪器仪表、工业及自动控制、计算机及周边设备、网络通讯等领域均有广泛的应用。

2.半导体分立器件分类

根据基材不同，半导体分立器件可分为不同类型。

(1)以硅基半导体为基材时，半导体分立器件主要包括：功率二极管、晶闸管、功率三极管、平面型功率MOSFET、沟槽型功率MOSFET、IGBT、超结功率MOSFET和屏蔽栅功率MOSFET。

(2)以宽禁带材料半导体为基材时，半导体分立器件主要包括：SiC、GaN半导体功率器件。

3.半导体分立器件特点

随着电子产品技术的快速发展，半导体分立器件的发展，正在朝着小型化、片式化的方向发展。其特征表现为4点：

(1)体积越来越小。

(2)重量越来越轻。

(3)技术越来越先进。

(4)功率密度越来越高，就功率而言由过去的小、中、大功率，发展到当下几千伏、一千多安倍的电力电子器件;就频率而言，由过去的低、中、高频，发展到现在的微波器件。

4.半导体分立器件厂家

美国：T1、Diodes、Vishay、Maxim、ON

欧洲：Infineon、Nexpria、ST

日本：Toshiba、Renesas、RohmMatsushita Fuji

中国台湾：立铸(NichTek)、福鼎先进(A-Power)、茂达(Anpec)、崇贸(SG)

中国**：扬杰科技、苏州固锝、台基股份、士兰微、捷捷微电

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